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Hynix BRAND DDR SDRAM MODULE PART NUMBERING
1. 184pin
型番容量ChipSPEED
構成使用数
HYMD232646D8J-J256MB32x88枚DDR333　2.5-3-3
HYMD232646D8J-D4332x88枚DDR400　3-3-3
HYMD264646D8J-J512MB32x816枚DDR333　2.5-3-3
HYMD264646D8J-D4332x816枚DDR400　3-3-3
HYMD564646D8J-D4364x88枚DDR400　3-3-3
HYMD512646D8J-D431GB64x816枚DDR400　3-3-3

2. 200pin
型番容量ChipSPEED
構成使用数
HYMD232M646D6-J256MB16x168枚DDR333　2.5-3-3
HYMD564M646B6-J512MB32x168枚DDR333　2.5-3-3
HYMD512M646BF8-J1GB64x816枚DDR333　2.5-3-3

HYMD2X64X646XXP8J-D43
��������������������������

�� HYNIX MODULE�� DIE GENERATION
　　BLANK: 1st Gen.
�� COMPONENT GROUP　　A　　　　: 2nd Gen.
　　D2　: 256Mb DDR SDRAM　　B　　　　: 3rd Gen.
　　D5　: 512Mb DDR SDRAM　　C　　　　: 4th Gen.
　　D　　　　: 5th Gen.
�� POWER SUPPLY&INTERFACE
　　BLANK　　: VDD 2.5V&VDDQ2.5V�� PACKAGE TYPE
　　BLANK　: TSOP
�� MEMORY DEPTH　　F　　　　　: FBGA
　　32　: 32M
　　64　: 64M�� PACKAGE MATERIAL
　　12　: 128M　　BLANK 　: Normal
　　P 　　　　　: Lead free
�� MODULE TYPE　　R 　　　　　: Lead&Halogen free
　　BLANK　: 184pin Unbuffered DIMM
　　M 　　　　: 200pin SO DIMM�� COMPONENT CONFIGURATION
　　4　: x4 Based
�� DATA WIDTH　　8　: x8 Based
　　64　: x64　　6　: x16 Based
　　72　: x72
�� MODULE REVISION
�� REFRESH/BANKs　　BLANK　: Original
　　6　: 8K Ref./4Banks　　J 　　　　　: DDR333/400 Unbuffered DIMM
　
�� SPEED
　　H 　　:DDR266B 2.5-3-3
　　J　　　:DDR333 2.5-3-3
　　D43　:DDR4000 3-3-3


Hynix BRAND DDR2 SDRAM MODULE PART NUMBERING
1. 240pin
型番容量ChipSPEED
構成使用数
HYMP564U64P8-C4512MB64x88枚DDR2-533　4-4-4
HYMP512U64P8-C41GB64x816枚DDR2-533　4-4-4

2. 200pin
型番容量ChipSPEED
構成使用数
HYMP564S64P6-C4512MB32x168枚DDR2-533　4-4-4
HYMP112S64MP8-C41GB64x816枚DDR2-533　4-4-4

HYM P1X12S64XMP8-C4
����������������������

�� HYNIX MODULE�� DIE GENERATION
　　BLANK : 1st Gen.
�� COMPONENT GROUP　　A 　　　　: 2nd Gen.
　　P5　: 512Mb DDR2 SDRAM　　B 　　　　: 3rd Gen.
　　　　　 8K Ref./4Banks　　C 　　　　: 4th Gen.
　　P1　: 1Gb DDR2 SDRAM
　　　　　 8K Ref./8Banks�� PACKAGE TYPE
　　BLANK : FBGA Single Die
�� POWER SUPPLY&INTERFACE　　S 　　　　: FBGA Stack
　　BLANK　: VDD 1.8V&VDDQ1.8V　　M　　　　: FBGA DDP
　
�� MEMORY DEPTH�� PACKAGE MATERIAL
　　64　: 64M　　BLANK　: Normal
　　12　: 128M　　P　　　　　: Lead free
　　R　　　　　: Lead&Halogen free
�� MODULE TYPE
　　S　: 200pin SO DIMM�� COMPONENT CONFIGURATION
　 U　: 240pin Unbuffered DIMM　　4　: x4 Based
　　8　: x8 Based
�� DATA WIDTH　　6　: x16 Based
　　64　: x64
　　72　: x72�� SPEED
　　C4　: DDR2-533 4-4-4


Hynix BRAND SDRAM PART NUMBERING
型番容量ChipSPEED
構成使用数
HY57V28820ETP-H128Mb16x8PC133CL3
HY57V281620ETP-H8x16PC133CL3
HY57V56820CTP-H256Mb32x8PC133CL3
HY57V561620CTP-H16x16PC133CL3

HY57V56820CTP-H
����������������������

�� HYNIX MEMORY�� DIE GENERATION
　　BLANK　: 1st Gen.
�� PRODUCT FAMILY　　A　　　　　: 2nd Gen.
　　57　: SDRAM　　B　　　　　: 3rd Gen.
　　C　　　　　: 4th Gen.
�� PROCESS&POWER SUPPLY　　D　　　　　: 5th Gen.
　　V　: VDD=3.3V&VDDQ=3.3V　　E　　　　　: 6th Gen.
　
�� DENSITY
　　28　: 128M�� PACKAGE TYPE
　　56　: 256M　　T　: TSOP
　
�� ORGANIZATION�� PACKAGE MATERIAL
　　4　　: x4　　BLANK　: Normal
　　8　　: x8　　P　　　　　: Lead free
　　16　: x16　　H　　　　　: Halogen free
　　32　: x32　　R　　　　　: Lead&Halogen free
　
�� # of BANK�� SPEED
　　1　: 2Banks　　H　: PC133 CL3
　　2　: 4Banks　　P　: PC100 CL2
　
�� INTERFACE
　　0　: LVTTL
　　1　: SSTL_3


Hynix BRAND NAND Flash PART NUMBERING
型番容量構成
HY27UF081G2M-TCB1Gb128x8
HY27UG082G2M-TCB2Gb128x8

HY27UF082G2M-TXCB
������������������������

��HYNIX MEMORY�� VERSION
　　M　: 1st Gen.
�� COMPONENT GROUP　　A　: 2nd Gen.
　　27　: NAND Flash　　B　: 3rd Gen.
　　C　: 4th Gen.
�� POWER SUPPLY(Vcc)
　　U　: 2.7V〜3.6V
�� PACKAGE TYPE
�� CLASSIFICATION　　T　: TSOP1
　　F　: SLC+Single Die+L/B
　　G　: SLC+Double Die+L/B�� PACKAGE MATERIAL
　　BLANK　: Normal,Wafer,Chip,KGD
�� BIT ORGANIZATION　　P　　　　　: Lead free
　　8　　: x8　　H　　　　　: Halogen free
　　16　: x16　　R　　　　　: Lead&Halogen free
　　32　: x32
�� OPERATING TEMPERATURE
�� DENSITY　　BLANK　: Wafer,Chip
　　1G　: 1Gb　　C　　　　　: 0℃〜70℃
　　2G　: 2Gb　　E　　　　　: -25℃〜85℃
　　M　　　　　: -30℃〜85℃
�� MODE　　I　　　 　　: -40℃〜85℃
　　2　: 1 nCE&1R/nB; Sequential Row Read Disable
�� BAD BLOCK
　　BLANK　: Wafer
　　B　　　　　: Included Bad Block

JTS BRAND MEMORY MODULE品名構成
　販売元：ＪＴＳ
　製造元：ルネサス東日本セミコンダクタ

1. 168pin
型番容量ChipPC/CL
構成使用数
JA64S-X10S64MB8x88枚PC100/CL2
JA64S-X13TS8x88枚PC100/CL2・PC133/CL3
JA128S-X10S128MB16x88枚PC100/CL2
JA128S-X13TS16x88枚PC100/CL2・PC133/CL3
JA256S-X10S256MB32x88枚PC100/CL2
JA256S-X13TS32x88枚PC100/CL2・PC133/CL3
JA256S-X10D16x816枚PC100/CL2
JA256S-X13TD16x816枚PC100/CL2・PC133/CL3
JA512S-X13TD512MB32x816枚PC100/CL2・PC133/CL3

2. 144pin
型番容量ChipPC/CL
構成使用数
JB32S-X10S32MB4x164枚PC100/CL2
JB64S-X10S64MB8x164枚PC100/CL2
JB128S-X10D128MB8x168枚PC100/CL2
JB256S-X13TD256MB16x168枚PC100/CL2・PC133/CL3

4. 型番構成
JA256S-X13TS
��������������

�� JTS BRAND�� S: SDRAM non-ECC�� 10: PC100/CL2
　　SE: SDRAM with ECC　　13T: PC100/CL2・PC133/CL3
�� A: 168pin　　D: DDR non-ECC　　26: PC2100/CL2.5
　　B: 144pin　　DE: DDR with ECC　　33: PC2700/CL2.5
　　D: 184pin　　40: PC3200/CL3
�� E: ELPIDA
�� 32: 32MB　　H: HYNIX�� S: 片面実装
　　64: 64MB　　M: MICRON　　D: 両面実装
　　128: 128MB　　S: SAMSUNG
　　256: 256MB　　N: NANYA
　　512: 512MB
　　1G: 1GB